标题:SiCMOSFET体二极管双极退化可靠性试验方法标准化发展报告
EnglishTitle:StandardizationDevelopmentReportonReliabilityTestMethodsforBipolarDegradationofSiCMOSFETBodyDiode
摘要
本报告聚焦于碳化硅(SiC)功率半导体器件,特别是SiC金属-氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)体二极管工作引起的双极退化可靠性试验方法的标准化问题。随着SiC材料在新能源汽车、智能电网、高速轨道交通等高可靠性领域的广泛应用,其独特的体二极管双极退化现象
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