碳化硅 MOS单管的并联均流特性及1 200V 产品参数分散性对并联均流的影响.pdf

SiC

MOSFET单管的并联均流特性及1

200V

产

品参数分散性对并联均流的影响

在新型电力电子器件领域，碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管

器件与传统的硅基器件相比，拥有更高的临界击穿场强、更好的热

传导性能、更小的导通电阻、更高的电子饱和速度以及更小的芯片

面面积，这些优良特性使得基于SiC器件的电力电子装备拥有更小

的重量和体积，从而提高整个电力电子系统的功率密度与性能。

由于在芯片制备和器件封装过程中工艺的不均匀性，即使是同一型

号同一批次的器件，其阈值电压、跨导、导通电阻以及极间电容等

参数也会存在一定的差异。碳化硅在大功率的应用中，芯片的均流