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CN120264804A 一种可调控阈值电压的hemt器件及其制备方法 （中科蓝谷半导体(广西)有限公司）.pdfVIP

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  • 2026-05-07 发布于重庆
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CN120264804A 一种可调控阈值电压的hemt器件及其制备方法 （中科蓝谷半导体(广西)有限公司）.pdf

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN120264804A

    (43)申请公布日2025.07.04

    (21)申请号202510283076.8C23C16/50(2006.01)

    C23C16/34(2006.01)

    (22)申请日2025.03.11

    C23C16/18(2006.01)

    (71)申请人中科蓝谷半导体（广西）有限公司C23C14/24(2006.01)

    地址530201广西壮族自治区南宁市青秀

    区天合路8号中国-东盟数字经济产业

    园3＃楼1层101室

    (72

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