CN120264803A 一种可调控阈值电压的AlGaN-GaN基HEMT器件及其制备方法 （中科蓝谷半导体(广西)有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120264803A

(43)申请公布日2025.07.04

(21)申请号202510283072.X

(22)申请日2025.03.11

(71)申请人中科蓝谷半导体（广西）有限公司

地址530201广西壮族自治区南宁市青秀

区天合路8号中国-东盟数字经济产业

园3＃楼1层101室

(72)发明人吴义针汪连山麻胜恒孙文红

陈福鑫赵柏聿

(74)专利代理机构成都众恒智合知识产权代理

有限公司51239

专利代理师钟显毅

(51)Int.Cl.

H10D30/47(2025.01)

H10D30/01(2025.01)