CN119497413A 半导体器件及其制备方法 （粤芯半导体技术股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119497413A

(43)申请公布日2025.02.21

(21)申请号202510072523.5

(22)申请日2025.01.17

(71)申请人粤芯半导体技术股份有限公司

地址510000广东省广州市黄埔区凤凰五

路28号

(72)发明人赵晓龙张拥华张青

(74)专利代理机构苏州锦尚知识产权代理事务所(普通合伙)32502

专利代理师李洋刘鹤

(51)Int.Cl.

H10D30/65(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

H10D64/00(2025.01)

H10D62/13(2025.01)

H10D64/23(2025.01)

H10D64/01(2025.01)

权利要求书2页说明书12页附图9页

(54)发明名称

半导体器件及其制备方法

(57)摘要

CN119497413A本申请涉及一种半导体器件及其制备方法，包括：半导体材料层；第一沟槽，位于半导体材料层中，第一沟槽的侧壁和底壁由圆弧角连接，侧壁所在平面与底壁所在平面的夹角为钝角；漏极区，位于第一沟槽外周半导体材料层中，其深度小于第一沟槽深度；阱区，位于底壁下方半导体材料层中；场氧层，在底壁和侧壁的位于阱区和漏极区之间的部分上延伸；栅极介