CN119497440A 硅片钝化方法和电池制备方法 （天合光能股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119497440A

(43)申请公布日2025.02.21

(21)申请号202411587393.0

(22)申请日2024.11.08

(71)申请人天合光能股份有限公司

地址213031江苏省常州市新北区天合光

伏产业园天合路2号

(72)发明人殷志豪

(74)专利代理机构华进联合专利商标代理有限

公司44224

专利代理师邱志强

(51)Int.Cl.

H10F71/00(2025.01)

C23C16/34(2006.01)

C23C16/40(2006.01)

权利要求书2页说明书11页附图3页

(54)发明名称

硅片钝化方法和电池制备方法

(57)摘要

CN119497440A本申请涉及一种硅片钝化方法和电池制备方法。所述方法包括：提供原始基材；采用化学气相沉积工艺对所述原始基材的侧面进行钝化处理，得到钝化基材；对所述钝化基材进行分片处理，得到多个边缘钝化硅片。采用本方法能够改

CN119497440A

CN119497440A权利要求书1/2页

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1.一种硅片钝化方法，其特征在于，所述方法包括：

提供原始基材；

采用化学气相沉积工艺对所述原