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器件物理复试题及答案

一、单选题（每题1分，共20分）

1.半导体材料的禁带宽度主要取决于（）（1分）

A.晶体结构B.材料密度C.温度D.材料成分

【答案】D

【解析】禁带宽度主要与材料的化学成分有关，不同元素的原子能级不同，导致禁带宽度差异。

2.空穴在半导体中运动实质上是（）（1分）

A.电子的空位移动B.电子的定向移动C.离子的迁移D.原子的振动

【答案】A

【解析】空穴是电子离开后留下的位置，其运动相当于电子的反向移动。

3.晶体管的放大作用是基于（）（1分）

A.电流的分流B.电压的叠加C.电流的控制D.电阻的变换

【答案】C

【解析】晶体管的放大作用是通过控制小电流变化来引起大电流变化。

4.MOSFET的导电机制主要依赖于（）（1分）

A.载流子的扩散B.载流子的漂移C.电场的吸引D.热电子发射

【答案】B

【解析】MOSFET的导电主要通过载流子在电场作用下的漂移实现。

5.PN结正向偏置时，其耗尽层（）（1分）

A.变宽B.变窄C.不变D.消失

【答案】B

【解析】正向偏置时，外电场使耗尽层宽度减小。

6.二极管的伏安特性曲线中，死区电压是指（）（1分）

A.开启电压B.饱和电压C.截止电压D.击穿电压

【答案】A

【解析】死区电压即开启电压，是二极管开始导通的最小电压。

7.晶体管的输入电阻主要取决于（）（1分）

A.发射结偏置B.集电结偏置C.基极电流D.集