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CN119505125A 基于中空介孔二氧化硅纳米颗粒的页岩气藏用超临界co2增稠剂及其制备方法 （天府永兴实验室）.docxVIP

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  • 2026-05-07 发布于山西
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CN119505125A 基于中空介孔二氧化硅纳米颗粒的页岩气藏用超临界co2增稠剂及其制备方法 （天府永兴实验室）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119505125A

    (43)申请公布日2025.02.25

    (21)申请号202510080838.4

    (22)申请日2025.01.20

    (71)申请人天府永兴实验室

    地址610000四川省成都市天府新区集萃

    街619号

    (72)发明人蒲万芬

    (74)专利代理机构成都乔一乔专利代理事务所(普通合伙)51436

    专利代理师吴林

    (51)Int.Cl.

    C08F292/00(2006.01)

    C08F220/24(2006.01)

    C08F212/08(2006.01)

    C08F218

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