CN119497506A 一种混合a位阳离子手性钙钛矿二极管及其制备方法 （天府绛溪实验室）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119497506A

(43)申请公布日2025.02.21

(21)申请号202411315063.6

(22)申请日2024.09.20

(71)申请人天府绛溪实验室

地址610000四川省成都市高新区桂溪街

道天府五街200号菁蓉汇1号楼A区9楼902室

申请人四川桂品光电科技有限公司电子科技大学

(72)发明人林克斌汪家奇毕跃川李秀玲池淑瑞赵子迅王志明

(74)专利代理机构成都华复知识产权代理有限

公司51298

专利代理师景志敏

(51)Int.Cl.

H10K50/11(2023.01)

H10K85/50(2023.01)

H10K71/12(2023.01)

H10K71/16(2023.01)

权利要求书1页说明书4页附图4页

(54)发明名称

一种混合A位阳离子手性钙钛矿二极管及其

制备方法

(57)摘要

CN119497506A本发明公开了一种混合A位阳离子手性钙钛矿二极管及其制备方法，涉及电致发光技术及制造领域。器件主要包括：阴极、发光层、阳极、电子传输层和空穴传输层。通过为传统的钙钛矿LED器件以混合A位的方式引入了手性因素，制备了可直接发射出偏振光的LED器件。与现有的商用CP_LED的间接发射偏振光