《GBT11073-2025硅片径向电阻率变化测量方法》学习与解读PPT课件.pptxVIP

《GB/T11073-2025硅片径向电阻率变化测量方法》学习与解读

目录

02

测量原理基础

01

标准概述

03

测量方法与步骤

04

仪器设备要求

05

数据处理与解读

06

应用实施与注意事项

标准概述

01

标准背景与制定目的

国际标准接轨需求

通过引用最新版GB/T1551电阻率测定标准，实现与IEC等国际标准体系的技术协调，助力企业突破国际贸易技术壁垒。

技术迭代驱动修订

随着12英寸硅片国产化进程加速，原2007版标准在测量范围和方法上已不适应产业需求，本次修订重点解决大尺寸硅片测量适配性问题。

集成电路产业支撑

本标准响应《中国制造2025》对核心基础材料的战略需求，针对半导体硅片这一集成电路基础材料的关键参数建立统一测量规范，填补国内大尺寸硅片测量标准空白。

明确适用于直径＞15mm的p型/n型硅单晶片，其中p型电阻率范围扩展至1×10⁻⁴—8×10³Ω·cm，n型调整为1×10⁻⁴—1.5×10⁴Ω·cm。

材料类型限定

既适用于常规生产质量监控，也满足研发阶段对电阻率径向均匀性的精确评估需求。

测量场景覆盖

规定被测硅片厚度需小于探针平均间距，确保直排四探针法测量精度符合理论模型要求。

厚度约束条件

标准方法可适配手动探针台、自动化测量系统等多种设备配置，但需满足探针机械参数和电学性能的基准要求。

设备兼容性

适用范围与主要对象

01

02

03

04