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GB/T14847-2025:红外反射法测试轻掺杂硅外延层厚度

目录

02

原理基础

01

测试方法概述

03

设备与材料要求

04

操作流程步骤

05

数据处理与解析

06

标准符合与报告

测试方法概述

01

基本定义与背景

技术背景需求

随着功率器件和射频器件对超薄外延层（50nm-10μm）厚度控制精度的要求提升，红外反射法因其高精度（±2%）和快速检测特点成为行业首选方法。

标准发展沿革

GB/T14847-2025是对2010版标准的修订，主要更新了设备参数要求和数据处理算法，以适应半导体制造工艺的精细化需求。

红外反射法原理

基于红外光在轻掺杂硅外延层与重掺杂衬底界面处的反射特性差异，通过分析反射光谱干涉条纹计算外延层厚度，属于非破坏性光学测量技术。

主要应用领域

在SOI（硅绝缘体）和BiCMOS工艺中，验证外延层厚度均匀性以满足器件隔离和性能一致性要求。

用于IGBT、MOSFET等器件中轻掺杂外延层的厚度监控，确保击穿电压和导通电阻等关键参数达标。

适用于碳化硅（SiC）等宽禁带半导体外延层的厚度测量，但需调整红外波长范围以适应材料特性。

作为半导体材料表征的标准化手段，服务于研发阶段的工艺优化和量产过程的质量抽检。

功率半导体制造

集成电路衬底制备

第三代半导体材料

科研与质控实验室

测试目的与重要性

工艺参数校准

通过厚度测量反馈外延生长设备的沉积速率和