NDS9407单沟道增强型场效应晶体管特性与应用.pdfVIP

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NDS9407单沟道增强型场效应晶体管特性与应用.pdf

1996年2月

N

NDS9407

单P沟道增强型场效应晶体管

概述特性

这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用National专有的高‑3.0A,‑60V。R=0.15@VGS‑10VR=0.24

DS(ON)DS(ON)

密度DMOS技术制造。这种非常高的密度工艺特别优化以最DS(ON)

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