电子材料工程技术人员专项题库.docxVIP

第PAGE68/NUMPAGES68页

电子材料工程技术人员专项题库

一、单选题（只有一个正确答案）

1.半导体硅片的最主要掺杂元素是？

A.硼

B.磷

C.砷

D.镓

答案：B

解析：在P型半导体中，三价元素（如硼）掺杂形成空穴；四价元素（如磷）掺杂形成自由电子（N型半导体）。本题强调最主要掺杂元素，磷作为N型半导体常见施主杂质，是硅片掺杂工程中最基础的概念。

2.在光纤通信中，起到全反射作用的光纤纤芯折射率应满足的条件是？

A.n1n2

B.n1n2

C.n1=n2

D.n1=0

答案：A

解析：光从光密介质（折射率大）射向光疏介质（折射率小）时会发生全反射。光纤纤芯折射率n1必须大于包层折射率n2，光才能在纤芯内传播。

3.超导材料的基本特性是电阻率为零，且具有？

A.铁磁性

B.顺磁性

C.抗磁性

D.铁电性

答案：C

解析：超导材料处于超导态时，对磁场完全排斥（迈斯纳效应），表现出抗磁性。这是区分超导体与普通导电材料的关键特性。

4.锂离子电池中，负极材料通常采用？

A.石墨

B.三氧化二铁

C.磷酸铁锂

D.金属锂箔

答案：A

解析：石墨层状结构具有良好的嵌锂能力，是锂离子电池负极的标准材料。金属锂虽然理论容量高，但因体积膨胀大难以实用化。

5.影响半导体材料载流子迁移率的主要因素不包括？

A.材料纯净