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CN119521794A 一种Si衬底上生长GaAs纳米柱作为i型层的Si基太阳能电池结构及其制备方法 （华南理工大学）.docxVIP

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  • 2026-05-10 发布于山西
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CN119521794A 一种Si衬底上生长GaAs纳米柱作为i型层的Si基太阳能电池结构及其制备方法 （华南理工大学）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119521794A

    (43)申请公布日2025.02.25

    (21)申请号202510065476.1

    (22)申请日2025.01.16

    (71)申请人华南理工大学

    地址510640广东省广州市天河区五山路

    381号

    (72)发明人李国强王宜刘勇郭超英

    (74)专利代理机构广州市华学知识产权代理有限公司44245

    专利代理师陈智英

    (51)Int.Cl.

    H10F10/17(2025.01)

    H10F71/00(2025.01)

    H10F77/14(2025.01)

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