CN119521665A 半导体结构及其形成方法 （中芯国际集成电路制造(北京)有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119521665A

(43)申请公布日2025.02.25

(21)申请号202311028216.4

(22)申请日2023.08.15

(71)申请人中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

地址100176北京市大兴区北京经济技术

开发区文昌大道18号

申请人中芯国际集成电路制造（上海）有限

公司

(72)发明人刘翠乔春羽马德敬

(74)专利代理机构上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31327

专利代理师高静

(51)Int.Cl.

H10B41/30(2023.01)

H10D64/27(2025.01)

H01L21/28(2025.01)

权利要求书2页说明书9页附图3页

(54)发明名称

半导体结构及其形成方法

(57)摘要

CN119521665A一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底；悬浮栅层，位于所述基底的顶部；凹槽，位于所述悬浮栅层中；控制栅层，位于所述悬浮栅层的顶部，且所述控制栅层还填充于所述凹槽中。控制栅层与悬浮栅层之间的接触面包括水平方向的接触面和竖直方向的接触面，增大了控制栅层与悬浮栅层之间的接触面积，从而增大了控制栅层与悬浮栅层之间的耦合电容，在控制栅层与悬浮栅层之间的耦合电容变大的情况下，也就增加了控制栅