CN120089583A 一种icp和ccp结合的等离子刻蚀装置、方法以及制备方法 .pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120089583A

(43)申请公布日2025.06.03

(21)申请号202510269247.1

(22)申请日2025.03.07

(71)申请人上海邦芯半导体科技有限公司

地址201413上海市奉贤区中国（上海）自

由贸易试验区临港新片区平霄路358

号7号厂房、9号厂房

(72)发明人梁洁王兆祥涂乐义李可

彭国发刘龙王宇苏正扬

(74)专利代理机构上海申君律师事务所31594

专利代理师余中燕

(51)Int.Cl.

H01J37/32(2006.01)

H01J9/02(2006.01)

H01J9/00(2006.01)