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垂直磁各向异性器件中自旋转移矩效应的模拟与优化研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在信息技术飞速发展的大数据时代，数据量呈爆炸式增长。国际数据公司（IDC）预测，全球数据圈将从2018年的32ZB增至2025年的175ZB，增幅超过5倍，其中中国数据圈到2025年将增至48.6ZB，占全球27.8％，成为最大数据圈。如此庞大的数据量对数据存储技术提出了极高的要求，磁存储作为目前主流的数据存储方式之一，其性能的提升至关重要。

垂直磁各向异性器件因其具有高片面比、高容量、高速度、长寿命等优点，成为了当前磁存储技术的重要发展方向。在垂直磁各向异性器件中，自旋转移矩效应