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CN119545863A 一种短沟道场效应晶体管、其制备方法及电子器件 （上海交通大学）.docxVIP

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  • 2026-05-12 发布于山西
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CN119545863A 一种短沟道场效应晶体管、其制备方法及电子器件 （上海交通大学）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119545863A

    (43)申请公布日2025.02.28

    (21)申请号202311072078.X

    (22)申请日2023.08.24

    (71)申请人上海交通大学

    地址200240上海市闵行区东川路800号

    (72)发明人司梦维赵锦秀

    (74)专利代理机构上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31317

    专利代理师禹雪平

    (51)Int.Cl.

    H10D30/67(2025.01)

    H10D62/17(2025.01)

    H10D64/27(2025.01)

    H10D6

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