PN1R0-30YLD MOSFET产品数据手册：NexwerS3技术概述.pdfVIP

PSMN1R0‑30YLD

采用NextPowerS3技术的N沟道30V、1.0mΩ、300A逻辑

电平MOSFET，LFPAK56封装2015年12月14日

产品

1.一般描述

LFPAK56封装的300安逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。NextPowerS3

系列采用Nexperia独特的“SchottkyPlus”技术，通常与集成或

类二极管相关的高效率和低尖峰性能，但没有电流的问题。NextPowerS3特别适

用于高频开关下的高效率应用。

2.特性和优点

•300电流能力

•雪崩耐受能力，100%在I(as)=190安培下测试

•超低QG、QGD和QOSS，提高系统效率，特别是在高开关频率下