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半导体器件物理习题试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

选择题

1.在室温（300K）下，本征硅的禁带宽度为1.12eV，则本征载流子浓度ni约为？

A.1.0×10^10cm^-3

B.1.5×10^10cm^-3

C.2.0×10^10cm^-3

D.2.5×10^10cm^-3

2.PN结正偏时，耗尽层宽度的变化趋势是？

A.增大

B.减小

C.不变

D.先增大后减小

3.漂移电流与扩散电流的根本区别在于？

A.电流方向不同

B.依赖电场的程度不同

C.载流子类型不同

D.温度依赖性不同

4.MOSFET的阈值电压Vth主要由哪些因素决定？（多选）

A.栅氧化层厚度

B.衬底掺杂浓度

C.金属-半导体功函数差

D.沟道长度

5.BJT在放大区工作时，发射结和集电结的偏置状态分别是？

A.正偏、正偏

B.正偏、反偏

C.反偏、正偏

D.反偏、反偏

6.光电二极管的工作原理基于？

A.隧穿效应

B.光生伏特效应

C.雪崩击穿

D.热电子发射

7.爱因斯坦关系式是？

A.D=μkT/q

B.D=