CN119546545A 制造mems设备的分层结构的方法和具有此类分层结构的mems设备 (欧蒙泰德有限公司).docxVIP

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  • 2026-05-13 发布于山西
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CN119546545A 制造mems设备的分层结构的方法和具有此类分层结构的mems设备 (欧蒙泰德有限公司).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119546545A

(43)申请公布日2025.02.28

(21)申请号202380053670.7

(22)申请日2023.07.12

(30)优先权数据

102022117678.92022.07.14DE

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2025.01.14

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/EP2023/0693562023.07.12

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2024/013247DE2024.01.18

(71)申请人欧蒙泰德有限公司

地址德国伊策霍埃市基尔霍夫街1门b座

(72)发明人弗兰克·森格

斯特凡·马拉乌斯卡乌尔里希·霍夫曼

(74)专利代理机构北京中微知著知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

16136

专利代理师郭士超

(51)Int.Cl.

B81C1/00(2006.01)

权利要求书3页说明书18页附图7页

(54)发明名称

制造MEMS设备的分层结构的方法和具有此

类分层结构的MEMS设备

(57)摘要

CN119546545A本公开涉及一种用于制造MEMS设备的分层结构的方法、一种作为通过该方法产生的分层结构的分层结构以及一种包括此类分层结构的MEMS设备200。对于该分层结构或

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