CN119546799A 含钪或钇薄膜形成用前体、利用所述前体的含钪或钇薄膜形成方法以及包含所述含钪或钇薄膜的半导体组件 （思科特利肯股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119546799A

(43)申请公布日2025.02.28

(21)申请号202380048828.1

(22)申请日2023.11.30

(30)优先权数据

10-2022-01635722022.11.30KR

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2024.12.20

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/KR2023/0195322023.11.30

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2024/117807KO2024.06.06

(71)申请人思科特利肯股份有限公司

地址韩国世宗特别自治市燕东面鸣鹤产团路110-5

(72)发明人吴澣率金韩彬朴容主卢胤寿李相京

(74)专利代理机构北京维澳知识产权代理有限

公司11252

专利代理师曾晨

(51)Int.Cl.

C23C16/40(2006.01)

C23C16/455(2006.01)

C23C16/50(2006.01)

C07F5/00(2006.01)

H01L21/02(2006.01)

H01L21/285(2006.01)

权利要求书3页说明书12页附图11页

(54)发明名称

含钪或钇薄膜形成用前体、利用所述前体的含钪或钇薄膜形成方法以及包含所述