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200V 7.6A N沟道增强型功率MOSFET技术规格.pdfVIP

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  • 2026-05-15 发布于北京
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200V 7.6A N沟道增强型功率MOSFET技术规格.pdf

    2013年4月

    FQD10N20L/FQU10N20LN沟

    ®

    道QFETMOSFET200V,7.6A,360

    mΩ

    描述特性

    这款N沟道增强型功率MOSFET采用Fairchild•7.6A,200V,RDS(导通)=360mΩ(最大)@VGS=10

    ®V,ID=3.8A

    Semiconductor的专有平面条纹和DMOS技术制造。这种

    先进的MOSFET技术特别针对降低导通电阻、卓越的开•低栅极电荷(典型值.13nC)

    关性能和高雪崩能量强度进行了优化。这些器件适用于开关•低Crss(典型值.14pF)

    模式电源、有源功率因数校正

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