CN119563000A 蚀刻多晶硅的方法 （恩特格里斯公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119563000A

(43)申请公布日2025.03.04

(21)申请号202380053968.8

(22)申请日2023.06.16

(30)优先权数据

63/352,9172022.06.16US

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2025.01.15

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/US2023/0256042023.06.16

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2023/244825EN2023.12.21

(71)申请人恩特格里斯公司地址美国马萨诸塞州

(72)发明人S·M·比洛迪奥D·怀特

(74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司11287

专利代理师李婷

(51)Int.Cl.

C09K13/00(2006.01)

H01L21/3213(2006.01)

H01L21/02(2006.01)

H01L21/311(2006.01)

权利要求书2页说明书8页附图5页

(54)发明名称

蚀刻多晶硅的方法

(57)摘要

CN119563000A本发明提供适用于在氧化硅和氮化硅存在下蚀刻多晶硅的组合物。所述组合物包含氢氧化胆碱、例如过碘酸的氧化剂和任选的表面活性剂，且一般适用于多晶硅的蚀刻，且尤