SJ-T 11972-2025-压接式绝缘栅双极晶体管（IGBT）平板陶瓷管壳标准研究报告.docxVIP

SJ/T11972-2025压接式绝缘栅双极晶体管（IGBT）平板陶瓷管壳标准发展报告

EnglishTitle:DevelopmentReportonStandardSJ/T11972-2025forPress-PackInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)FlatCeramicHousing

摘要

本报告围绕电子行业标准SJ/T11972-2025《压接式绝缘栅双极晶体管（IGBT）平板陶瓷管壳》的制定背景、技术内容及行业影响展开系统分析。随着高压大功率电力电子器件在智能电网、轨道交通、新能源发电等领域的广泛应用，压接式IGBT模块因其高可靠性、低热阻和双面散热优势成为关键核心部件。然而，国内长期缺乏统一的平板陶瓷管壳技术规范，导致产品性能参差不齐，制约了产业链协同发展。本标准由工业和信息化部提出并归口，旨在规范压接式IGBT平板陶瓷管壳的术语定义、结构尺寸、材料要求、电气性能、机械性能及试验方法。报告详细阐述了标准的核心技术指标，包括绝缘耐压、热循环寿命、气密性及安装配合公差等，并分析了其对提升国产IGBT器件可靠性、推动高端电力电子装备自主化的重要意义。结论指出，该标准的实施将填补国内空白，促进上下游企业技术对接，为高压大功率IGBT模块的国产化替代提供坚实支撑。

关键词：压接式IGBT；平板陶瓷管壳