CN119571450A 一种MOCVD反应室及其ceiling水平调节方法 （武汉锐晶激光芯片技术有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119571450A

(43)申请公布日2025.03.07

(21)申请号202510139483.1

(22)申请日2025.02.08

(71)申请人武汉锐晶激光芯片技术有限公司

地址430000湖北省武汉市东湖新技术开

发区科技三路99号（自贸区武汉片区）

(72)发明人邱旋胡维陈恳孙同享

(74)专利代理机构武汉红观专利代理事务所(普通合伙)42247

专利代理师黄鑫

(51)Int.Cl.

C30B25/08(2006.01)

C30B25/16(2006.01)

权利要求书2页说明书5页附图4页

(54)发明名称

一种MOCVD反应室及其ceiling水平调节方

法

(57)摘要

CN119571450A本发明提出了一种MOCVD反应室及其ceiling水平调节方法，属于化学沉积领域，顶板间隔设置在顶盖正下方；调节部环绕顶板表面中心均布在顶板与顶盖之间，各调节部沿顶盖表面的垂直方向施加作用力，并调整调节部所在位置的顶板与顶盖的间距；检测部设置在顶板边缘上并实时检测其所在位置的顶板与顶盖的间距；控制部根据检测部的检测数据控制调节部施加作用力的大小。本发明通过检测部确定顶板是否处于水平，根据收集的检测数据控制调节