CN119580799A 用于模拟神经存储器的高电压生成的方法和设备 (硅存储技术股份有限公司).docxVIP

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  • 2026-05-19 发布于山西
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CN119580799A 用于模拟神经存储器的高电压生成的方法和设备 (硅存储技术股份有限公司).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119580799A

(43)申请公布日2025.03.07

(21)申请号202411645697.8

(22)申请日2019.04.08

(30)优先权数据

62/665,3592018.05.01US

16/042,9722018.07.23US

(62)分案原申请数据

201980029361.X2019.04.08

(71)申请人硅存储技术股份有限公司地址美国加利福尼亚州

(72)发明人H·V·特兰A·李T·乌S·洪V·蒂瓦里N·多

(74)专

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