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CN119581417A 后段超级通孔及当层金属层的制作方法 （杭州积海半导体有限公司）.docxVIP

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  • 2026-05-19 发布于山西
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CN119581417A 后段超级通孔及当层金属层的制作方法 （杭州积海半导体有限公司）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119581417A

    (43)申请公布日2025.03.07

    (21)申请号202510138649.8

    (22)申请日2025.02.08

    (71)申请人杭州积海半导体有限公司

    地址311225浙江省杭州市钱塘新区义蓬

    街道江东大道3899号709-7号

    (72)发明人谭发龙吴卓杰

    (74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237

    专利代理师顾丹丽

    (51)Int.Cl.

    H01L21/768(2006.01)

    H01L23/522(2006.01)

    权利要求书

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