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氧化法制备MoOX基空穴注入层构筑长寿命红光量子点发光二极管.pdf

氧化法制备MoOX基空穴注入层构筑长寿命红光量子点发光二极管.pdf

    摘要

    QLEDs量子点发光二极管（QuantumDotLight-emitingDiodes,QLEDs）因

    其发射光谱窄、色纯度高、亮度高、启亮电压低、发光效率高以及制造成本低而

    备受人们关注。然而，目前常用的PEDOT:PSS因其酸性和吸湿性等特性，易侵

    蚀ITO电极使其不稳定，从而降低其QLEDs器件性能阻碍商业化发展。而过渡

    金属氧化物具有高透射率和高功函数（WF)以及可降低与ITO的接触电阻等优

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