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CN119581994B 一种波长可调谐电吸收调制激光器及其制备方法 （武汉国科光领半导体科技有限公司）.docxVIP

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  • 2026-05-19 发布于山西
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CN119581994B 一种波长可调谐电吸收调制激光器及其制备方法 （武汉国科光领半导体科技有限公司）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利

    (10)授权公告号CN119581994B

    (45)授权公告日2025.05.13

    (21)申请号202510119479.9

    (22)申请日2025.01.24

    (65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN119581994A

    (43)申请公布日2025.03.07

    (73)专利权人武汉国科光领半导体科技有限公司

    地址430000湖北省武汉市东湖新技术开

    发区流芳园横路1号楚天传媒生产基地二期1号楼1-2层

    (72)发明人姚广峰付文锋

    (74)专利代理机构武汉集源知识产权代理事务所(普通合伙)42316

    专利

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