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Ta掺杂HfO2薄膜的铁电性调控和生物突触仿生研究.pdf

Ta掺杂HfO2薄膜的铁电性调控和生物突触仿生研究.pdf

    摘要

    类脑计算作为突破后摩尔定律困局的关键技术路径，其核心在于构筑具有仿生神

    经形态特性的新一代电子器件体系。铁电材料凭借其非易失性极化特征与皮秒级开关

    动力学，在突触仿生器件领域展现出独特禀赋。相较于传统体系，铪基薄膜在材料组

    分上实现去复杂化，规避了毒性元素困扰，其纳米级厚度（1-10nm）仍能保持卓越

    的铁电响应特性。尤为重要的是，铪基薄膜与主流CMOS工艺完美兼容，这种工艺适

    配优势与纳米级集成潜力为构建高密度神经形态芯片开辟了现实路径，故而探究铪基

    铁电材料的突触仿生机制及其应用

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