CN119786339A 半导体结构及其形成方法 (合肥晶合集成电路股份有限公司).pdfVIP

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  • 2026-05-18 发布于重庆
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CN119786339A 半导体结构及其形成方法 (合肥晶合集成电路股份有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119786339A

(43)申请公布日2025.04.08

(21)申请号202510294702.3

(22)申请日2025.03.13

(71)申请人合肥晶合集成电路股份有限公司

地址230012安徽省合肥市新站区合肥综

合保税区内西淝河路88号

(72)发明人阮钢马亚强罗钦贤苏圣哲

(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务

所(普通合伙)31237

专利代理师赵素香

(51)Int.Cl.

H01L21/033(2006.01)

H10D84/03(2025.01)

H10D84/83(2025.01)

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