CN119585853A 高纯度硅的层叠造型方法、半导体制造装置用部件的层叠造型方法、半导体制造装置用部件和半导体制造装置用部件的形成方法 （东京毅力科创株式会社）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119585853A

(43)申请公布日2025.03.07

(21)申请号202380054430.9

(22)申请日2023.07.18

(30)优先权数据

2022-1224982022.08.01JP

2022-1807662022.11.11JP

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2025.01.17

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/JP2023/0263192023.07.18

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2024/029329JA2024.02.08

(71)申请人东京毅力科创株式会社地址日本

(72)发明人石井贵之斋藤道茂永关一也千叶晶彦青柳健大王昊

(74)专利代理机构北京尚诚知识产权代理有限

公司11322

专利代理师龙淳何中文

(51)Int.Cl.

H01L21/3065(2006.01)

H01L21/205(2006.01)

H05H1/46(2006.01)

权利要求书6页说明书20页附图18页

(54)发明名称

高纯度硅的层叠造型方法、半导体制造装置用部件的层叠造型方法、半导体制造装置用部件和半导体制造装置用部件的形成方法

(57)摘要

CN119585853A一种高