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2025年半导体试题库及答案

一、选择题（每题2分，共40分）

1.以下哪种材料属于直接带隙半导体？

A.硅（Si）

B.锗（Ge）

C.砷化镓（GaAs）

D.碳化硅（SiC）

答案：C

2.本征半导体中，平衡载流子浓度ni与温度T的关系主要由以下哪个因素决定？

A.有效质量

B.禁带宽度Eg

C.迁移率μ

D.介电常数ε

答案：B（ni∝T^(3/2)exp(-Eg/(2kT))）

3.N型半导体中，多数载流子是电子，其浓度主要取决于：

A.本征激发

B.施主杂质电离

C.受主杂质电离

D.载流子复合

答案：B

4.PN结正向偏置时，耗尽层宽度如何变化？

A.变宽

B.变窄

C.不变

D.先变宽后变窄

答案：B（正向偏置降低内建电场，耗尽层收缩）

5.金属-半导体接触形成欧姆接触的条件是：

A.金属功函数大于半导体功函数（N型）

B.金属功函数小于半导体功函数（N型）

C.半导体表面存在重掺杂层

D.半导体禁带宽度大于金属费米能级

答案：C（重掺杂使耗尽层变窄，隧穿效应主导）

6.MOSFET的阈值电压Vth与以下哪项无关？

A.栅氧化层厚度tox

B.衬底掺杂浓度Na

C.沟道长度L

D.衬底费