摘要
二硫化钨(WS)二维材料凭借高电子迁移率、带隙随层数可调和良好的稳定性
2
等优势,在光电探测器、传感器和太阳能电池等领域中展现出巨大的应用潜力,并
有望在下一代光电子器件和新型功能材料中发挥更为重要的作用。然而,WS2二维
材料原子级的厚度限制了其光吸收,从而制约了高性能WS2基光电探测器的进一步
发展。因此,本文针对这一问题进行了深入研究,主要研究内容与创新性成果如下:
(1)单一WS2光电探测器的制备:采用机械剥离法制备单一WS
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