氧化镓薄膜掺杂及其光电探测器研究.pdf

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摘要

氧化镓(GaO)是一种新型的宽禁带半导体材料,被广泛认为是制备光电探测

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器的新一代半导体材料。目前,在光电探测器中GaO多以薄膜形式存在,但诸多研

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究表明GaO薄膜光电探测器存在着光电性能弱等问题,于是大量研究学者通过掺杂

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