CN119596482A 一种太赫兹光电芯片的半球透镜耦合方法 （武汉华中旷腾光学科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119596482A

(43)申请公布日2025.03.11

(21)申请号202411790792.7

(22)申请日2024.12.06

(71)申请人武汉华中旷腾光学科技有限公司

地址430223湖北省武汉市江夏区阳光大

道717号2#科研楼

(72)发明人张梓桐王晨晟郭宇飞王天一

(74)专利代理机构武汉凌达知识产权事务所(特殊普通合伙)42221

专利代理师刘念涛

(51)Int.Cl.

G02B6/42(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图4页

(54)发明名称

一种太赫兹光电芯片的半球透镜耦合方法

(57)摘要

CN119596482A本发明公开了一种太赫兹光电芯片的半球透镜耦合方法，先将印制电路板和半球透镜进行超声清理，再将半球透镜的平面侧扣于印制电路板背面，连接处滴入紫外胶水并用紫外灯固化，将印制电路板和半球透镜固定在底座上固定，利用二维影像仪将太赫兹光电芯片的中心孔对准半球透镜的圆心放置，最后利用贴片机完成太赫兹光电芯片和半球透镜的耦合。本发明该方法可以用于发射或接收芯片的制作过程，耦合方法标准化程度高、兼容性好、可重复性好，可用于规模

CN119596482A

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