Infineon 英飞凌 AIMDQ75R060M2H datasheet说明书用户手册.pdf

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英飞凌碳化硅MOSFET

英飞凌AIMDQ75R060M2HCoolSiC™碳化硅汽车功率器件750VG2

750VCoolSiC™MOSFET采用英飞凌强大的第2代碳化硅沟槽技术,提供

无与伦比的性能、卓越的可靠性和极佳的易用性。它能够实现经济高

效且简化的设计,满足不断增长的系统和市场需求。

特性

•高度稳健的750V技术,100%经过雪崩测试

•同类最佳的RDS(on)xQfr

•出色的RDS(on)xQoss和RDS(on)xQG

•低C/C和高V的独特组合

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