英飞凌碳化硅MOSFET
英飞凌AIMDQ75R060M2HCoolSiC™碳化硅汽车功率器件750VG2
750VCoolSiC™MOSFET采用英飞凌强大的第2代碳化硅沟槽技术,提供
无与伦比的性能、卓越的可靠性和极佳的易用性。它能够实现经济高
效且简化的设计,满足不断增长的系统和市场需求。
特性
•高度稳健的750V技术,100%经过雪崩测试
•同类最佳的RDS(on)xQfr
•出色的RDS(on)xQoss和RDS(on)xQG
•低C/C和高V的独特组合
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