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GB/T 45716.1-2026半导体器件　金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的偏置温度不稳定性试验　第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验.pdf

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  • 2026-05-21 发布于四川
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  • 即将实施
  • 暂未开始实施
  •   |  2026-04-30 颁布
  •   |  2026-11-01 实施

GB/T 45716.1-2026半导体器件　金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的偏置温度不稳定性试验　第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验.pdf

    ICS31.080.30

    CCSL40

    中华人民共和国国家标准

    /—/:

    GBT45716.12026IEC62373-12020

    半导体器件金属氧化物半导体场效应

    晶体管()的偏置温度

    MOSFETs

    不稳定性试验第部分:的

    1MOSFETs

    快速偏置温度不稳定性试验

    —

    SemiconductordevicesBias-temeratureinstabilittestfor

    GB/T 45716.1-2026半导体器件　金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的偏置温度不稳定性试验　第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验.pdf 原文免费试下载

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