CN119604074A 一种抛光无高度差隔离区tbc电池的制备方法 （横店集团东磁股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119604074A

(43)申请公布日2025.03.11

(21)申请号202510138252.9

(22)申请日2025.02.08

(71)申请人横店集团东磁股份有限公司

地址322100浙江省金华市东阳市横店镇

华夏大道233号

(72)发明人吴成坤任勇陈德爽

(74)专利代理机构杭州杭诚专利事务所有限公司33109

专利代理师何俊

(51)Int.Cl.

H10F71/00(2025.01)

H10F77/70(2025.01)

H10F10/14(2025.01)

H10F77/1223(2025.01)

权利要求书2页说明书10页附图4页

(54)发明名称

一种抛光无高度差隔离区TBC电池的制备方

法

(57)摘要

CN119604074A本发明涉及太阳能电池领域，公开了一种抛光无高度差隔离区TBC电池的制备方法。本发明借助紫外激光氧化工艺以及通过巧妙合理的步骤设计，可使硅片基底在碱清洗或碱洗制绒过程中免受碱腐蚀，从而确保隔离区表面的p区、隔离区和n区高度齐平且为抛光面结构，有利于提升

CN119604074A

CN119604074A权利要求书