CN119604010A Ldmos器件及其制备方法 （武汉新芯集成电路股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119604010A

(43)申请公布日2025.03.11

(21)申请号202411796821.0

(22)申请日2024.12.06

(71)申请人武汉新芯集成电路股份有限公司

地址430205湖北省武汉市东湖开发区高

新四路18号

(72)发明人蔡建祥李少剑王亢

(74)专利代理机构深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)44280

专利代理师黎坚怡

(51)Int.Cl.

H10D64/00(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

H10D30/65(2025.01)

权利要求书2页说明书8页附图9页

(54)发明名称

LDMOS器件及其制备方法

(57)摘要

CN119604010A本申请涉及一种LDMOS器件及其制备方法。该LDMOS器件包括：半导体基底、第一漂移区、第一阱区、第一源一漏区、第二源一漏区以及埋入式场板单元。第一漂移区和第一阱区形成在半导体基底中且彼此相邻。第一源一漏区设置在第一漂移区中。第二源一漏区设置在第一阱区中。埋入式场板单元包括第一浅沟槽隔离结构和导电层。第一浅沟槽隔离结构设置在第一漂移区中且位于第一源一漏区和第二源一漏区之间。导电层埋设在

CN119