CN119604050A 光电传感器及其形成方法、电子设备 （中芯国际集成电路制造(北京)有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119604050A

(43)申请公布日2025.03.11

(21)申请号202311101476.X

(22)申请日2023.08.29

(71)申请人中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

地址100176北京市大兴区经济技术开发

区文昌大道18号

申请人中芯国际集成电路制造（上海）有限

公司

(72)发明人黄昕楠张斯日古楞王丙泉杨京兴那青

(74)专利代理机构广州三环专利商标代理有限

公司44202

专利代理师方秀琴

(51)Int.Cl.

H10F39/18(2025.01)

G01J1/42(2006.01)

权利要求书4页说明书16页附图6页

(54)发明名称

光电传感器及其形成方法、电子设备

(57)摘要

CN119604050A本发明公开了一种光电传感器及其形成方法、电子设备，所述光电传感器包括：衬底，衬底中设置有至少两个光电二极管；位于相邻的光电二极管之间的分界面上的隔离沟槽；位于衬底上的多晶硅材料层；位于多晶硅材料层上的背面金属栅格；所述多晶硅材料层上具有与所述背面金属栅格对应的微环滤波器结构。本发明中位于多晶硅材料层上的微环滤波器结构可以降低相邻

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