CN119604467A 封装结构及其制备方法和传感器 (京东方科技集团股份有限公司).docxVIP

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  • 2026-05-24 发布于山西
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CN119604467A 封装结构及其制备方法和传感器 (京东方科技集团股份有限公司).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119604467A

(43)申请公布日2025.03.11

(21)申请号202380008802.4

(22)申请日2023.04.25

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2023.04.26

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/CN2023/0905172023.04.25

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2024/221210ZH2024.10.31

(71)申请人京东方科技集团股份有限公司

地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号

申请人北京京东方传感技术有限公司北京京东方技术开发有限公司

(72)发明人王立会李月魏秋旭郭伟龙常文博张韬楠孙杰何娜娜任艳飞曲峰

(74)专利代理机构北京天昊联合知识产权代理

有限公司11112

专利代理师李迎亚彭瑞欣

(51)Int.Cl.

B81B7/00(2006.01)

B81B7/02(2006.01)

B81C1/00(2006.01)

(54)发明名称

封装结构及其制备方法和传感器

(57)摘要

CN119604467A一种应用于MEMS芯片的封装结构,该封装结构包括:绝缘介质层(1),具有相对设置的第一表面和第二表面,绝缘介质层(1)上形成有从第

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