CN119602077A 一种波长可调谐的双模半导体激光器芯片及其制备方法 （泉州师范学院）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119602077A

(43)申请公布日2025.03.11

(21)申请号202510143641.0

(22)申请日2025.02.10

(71)申请人泉州师范学院

地址362000福建省泉州市丰泽区东海大

街398号

(72)发明人陈慧彬游振宇

(74)专利代理机构北京领果世纪知识产权代理

有限公司16221

专利代理师刘元仁

(51)Int.Cl.

H01S5/026(2006.01)

H01S5/065(2006.01)

H01S5/068(2006.01)

H01S5/10(2021.01)

H01S5/12(2021.01)

H01S5/40(2006.01)

权利要求书1页说明书6页附图2页

(54)发明名称

一种波长可调谐的双模半导体激光器芯片

及其制备方法

(57)摘要

CN119602077A本发明公开了一种波长可调谐的双模半导体激光器芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。该芯片包括激光器区、电隔离区、放大反馈区和两端镀膜区，其多层生长结构包含多种功能层，模式扩展波导层有特殊结构，欧姆接触层含特定电极布局，两端镀膜区采用1550nm的AR膜。制备方法包括形成各功能区，形成激光器区涉及全息曝光和干法刻蚀工艺形成光栅层。此发明