CN119603997A 半导体器件及其制备方法、芯片和电子设备 （华为技术有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119603997A

(43)申请公布日2025.03.11

(21)申请号202311147349.3

(22)申请日2023.09.06

(71)申请人华为技术有限公司

地址518129广东省深圳市龙岗区坂田华

为总部办公楼

(72)发明人刘明山樊宗荐刘哲苏欣董耀旗许俊豪

(74)专利代理机构北京润泽恒知识产权代理有限公司11319

专利代理师王洪

(51)Int.Cl.

H10D30/63(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

H10D64/01(2025.01)

H10D64/27(2025.01)

H10D62/17(2025.01)

H10B80/00(2023.01)

权利要求书3页说明书14页附图27页

CN119603997A

(54)发明名称

半导体器件及其制备方法、芯片和电子设备

(57)摘要

本申请提供了一种半导体器件及其制备方法、芯片和电子设备，能够大幅度减小半导体器件的漏电电流，从而降低半导体器件的功耗，进而降低逻辑芯片的总功耗，还可以尽可能避免存储芯片的存储数据丢失，提高逻辑芯片和存储芯片的可靠性。半导体器件可以包括衬底、第一隔离层、第一金属层、第二隔离层和沟道层。衬底、第一隔离