CN119605044A 半导体发光元件和半导体发光元件的制造方法 （同和电子科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119605044A

(43)申请公布日2025.03.11

(21)申请号202380055067.2

(22)申请日2023.07.19

(30)优先权数据

2022-1175262022.07.22JP2023-1168992023.07.18JP

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2025.01.20

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/JP2023/0264762023.07.19

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2024/019098JA2024.01.25

(71)申请人同和电子科技有限公司地址日本

(72)发明人小鹿优太门胁嘉孝

(74)专利代理机构北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277

专利代理师刘新宇李恩华

(51)Int.Cl.

H01S5/343(2006.01)

H10H20/812(2025.01)

H10H20/824(2025.01)

权利要求书1页说明书14页附图4页

(54)发明名称

半导体发光元件和半导体发光元件的制造

方法

(57)摘要

提供与以往的发光元件相比发光特性良好的半导体发光元件。本发明的半导体发光元件具备发光层，所述发光层具有反复层叠第一III_V族化合物半导体