CN119943665A 基于硬掩模的刻蚀方法及半导体器件 (天府兴隆湖实验室).pdfVIP

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  • 2026-05-27 发布于重庆
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CN119943665A 基于硬掩模的刻蚀方法及半导体器件 (天府兴隆湖实验室).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119943665A

(43)申请公布日2025.05.06

(21)申请号202411977146.1

(22)申请日2024.12.31

(71)申请人天府兴隆湖实验室

地址6100

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