集成电路铜互连中钽硅氮扩散阻挡层：制备、特性与优化.docx

集成电路铜互连中钽硅氮扩散阻挡层：制备、特性与优化

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，集成电路作为现代电子设备的核心部件，其性能的提升对于推动整个电子产业的进步至关重要。在过去的几十年里，集成电路遵循摩尔定律不断发展，芯片上的晶体管数量呈指数级增长，特征尺寸持续缩小，这使得集成电路的性能得到了显著提升。然而，随着特征尺寸进入深亚微米甚至纳米级，传统的铝金属化布线面临着诸多挑战，如高电阻率导致的RC延迟增大、电迁移现象加剧以及信号传输速度受限等，这些问题严重制约了集成电路性能的进一步提升。

为了解决这些问题，铜互连技术应运而生。铜具有低电阻率（1.68μΩ?cm，约