2026年半导体原料制备工专项题库答案与解释.docx

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半导体原料制备工专项题库答案与解释

一、单选题（只有一个正确答案）

1.半导体硅片制造中，区熔硅（FZ-Si）与直拉硅（CZ-Si）相比，最主要的区别在于？

A.电阻率不同

B.氧含量不同

C.电阻率不同，氧含量不同

答案：C

解析：区熔硅采用悬浮区熔工艺，几乎不接触石英坩埚，因此氧含量极低（通常5×10^15cm?3）；直拉硅接触石英坩埚，氧气会引入，且氧含量较高，这直接影响材料的热稳定性。

2.在半导体气体纯化过程中，使用钯合金膜进行气体分离的主要原理是？

A.分子筛效应

B.选择性渗透（氢气及其他小分子氢同位素能穿过钯膜）