《智能传感器与智能仪表》课件——6.2 内光电效应及典型元件.pptxVIP

内光电效应及典型元件从原理到生活应用项目六光电式传感器电气工程学院

目录CONTENTS内光电效应基本原理Smartsensorsandsmartmeters01基于光导效应的元件Smartsensorsandsmartmeters02基于光生伏特效应的元件Smartsensorsandsmartmeters03

知识导入没有太阳能电池的光伏效应，就没有绿色能源的革命光伏效应没有光敏电阻的导率变化，就没有自动亮起的路灯电阻导率

内光电效应基本原理内光电效应指物质吸收光子后，其内部电学性质发生变化，但光电子并不逸出物质表面的物理现象这主要发生在半导体材料中光导效应光生伏特效应

内光电效应基本原理主要特点需要外部电源供电，属于电阻控制型器件输出的是电阻或电流的变化关键公式产生条件为hv≥Eg光导效应过程产生电子-空穴对，材料中载流子浓度增加，电导率增大。光照越强，光生电子-空穴对越多，阻值就越低。机理入射光子能量（hv）大于半导体材料的禁带宽度（Eg）时，价带电子被激发跃迁到导带，同时在价带留下空穴。

内光电效应基本原理光生伏特效应机理|当光子能量大于禁带宽度，在半导体PN结的内建电场作用下，电子-空穴对被分离：电子漂移到N区，空穴漂移到P区在PN结两端产生光生电动势，如果接通外电